STB6N65M2
Τιμή αιτήματος & Χρόνος παράδοσης
STB6N65M2 είναι διαθέσιμα, Μπορούμε να παρέχουμε STB6N65M2, χρησιμοποιήστε τη φόρμα προσφοράς αιτήματος για να ζητήσετε STB6N65M2 pirce και χρόνο παράδοσης.Atosn.com επαγγελματίας διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων. Έχουμε μεγάλο απόθεμα και μπορούμε να παραδώσουμε γρήγορα, Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα και ο αντιπρόσωπος πωλήσεών μας θα σας παράσχει την τιμή και τις λεπτομέρειες αποστολής στο Μέρος # STB6N65M2. Συμπεριλάβετε ζητήματα εκτελωνισμού για να ταιριάζει με τη χώρα σας, Έχουμε επαγγελματική ομάδα πωλήσεωνκαι τεχνική ομάδα, Ανυπομονούμε να συνεργαστούμε μαζί σας.
Αίτημα παράθεσης
Παράμετροι προϊόντος
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- Τεχνολογία
- MOSFET (Metal Oxide)
- Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή
- D2PAK
- Σειρά
- MDmesh™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.35 Ohm @ 2A, 10V
- Έκλυση ενέργειας (Max)
- 60W (Tc)
- Συσκευασία
- Tape & Reel (TR)
- Συσκευασία / υπόθεση
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Άλλα ονόματα
- 497-15047-2
- Θερμοκρασία λειτουργίας
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- τοποθέτηση Τύπος
- Surface Mount
- Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Κατασκευαστής Standard Lead Time
- 42 Weeks
- Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS
- Lead free / RoHS Compliant
- Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds
- 226pF @ 100V
- Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs
- 9.8nC @ 10V
- FET Τύπος
- N-Channel
- FET Χαρακτηριστικό
- -
- Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss)
- 650V
- Λεπτομερής περιγραφή
- N-Channel 650V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C
- 4A (Tc)
Παρόμοια προϊόντα
- STMicroelectronics STB6N65M2
- Δελτίο δεδομένων STB6N65M2
- Δελτίο δεδομένων STB6N65M2
- Δελτίο δεδομένων STB6N65M2 pdf
- Λήψη φύλλου δεδομένων STB6N65M2
- Εικόνα STB6N65M2
- Μέρος STB6N65M2
- ST STB6N65M2
- STMicroelectronics STB6N65M2